PID-besturing Siliciumcarbideoven Vacuümwarmtebehandeling 150 Watt Stabiel

PID Control Silicon Carbide Oven, Vacuüm Warmtebehandeling Oven 150w

Toepassingen voor siliciumcarbideovens:

Vacuümwarmtebehandelingsoven voornamelijk gebruikt voor recristallisatie van siliciumcarbide

Siliciumcarbideoven Hoofdtechnische prestaties en indicatoren

Maximale werktemperatuur: 2450 °C

Gemene temperatuur: 2400 °C

Verwarmingsmethode: inductieverwarming

Werkgas in de oven: argonzuur

Temperatuuruniformiteit: ≤ ± 10 °C

Volgens de behoeften van de sintertijd kunnen meerdere elektrische ovens in één enkele voedingsbron worden geplaatst.en de verwarming en koeling van de afzonderlijke ovens kunnen respectievelijk worden uitgevoerd om een continue werking te bereiken.

Temperatuurmeting: WRe5/26 thermocouple (0-1700 °C) + US RATEK dubbelcolorimetrische infraroodthermometer (1000-3200 °C);US RATEK monochrome infraroodthermometer (300-1100 ° C) + US RATEK dubbele verhouding Kleur infraroodthermometer (1000-3200 ° C)

Temperatuurregeling: PID-intelligente programmabesturing en handmatige besturing

Superieure procesprestaties, waardoor de kwaliteit van het product een nieuwe stap is

Het apparaat heeft een multi-kanaal dataverzameling en vertoont en werkt op de mens-machine-interface.en de arbeidsintensiteit is laag;

Het apparaat heeft gegevensopname- en dumpfuncties en de gegevens kunnen via de historische curve worden bekeken en worden overgedragen naar het mobiele opslagmedium.

Energiebesparing, speciale spoel- en isolatieconstructie, stabiele vermogen en hoge elektrische efficiëntie.