PID-besturing Siliciumcarbideoven Vacuümwarmtebehandeling 150 Watt Stabiel

PID-regeling siliciumcarbide-oven, vacuümwarmtebehandelingsoven 150w

Toepassing siliciumcarbide-oven:

Vacuümwarmtebehandelingsoven Hoofdzakelijk gebruikt voor herkristallisatie van siliciumcarbide

Siliciumcarbide-oven Belangrijkste technische prestaties en indicatoren

Maximale bedrijfstemperatuur: 2450 °C

Gemeenschappelijke temperatuur: 2400 °C

Verwarmingsmethode: inductieverwarming

Werkend gas in de oven: stikstof argon

Temperatuuruniformiteit: ≤ ± 10 °C

Afhankelijk van de behoeften van de sinterproces tijd, kunnen meerdere elektrische ovens in een enkele voeding worden geplaatst, en de verwarming en koeling van de individuele ovens kunnen respectievelijk worden uitgevoerd om continue werking te bereiken.

Temperatuurmeting: WRe5/26 thermokoppel (0-1700 °C) + US RATEK dual colorimetrische infraroodthermometer (1000-3200 °C); US RATEK monochrome infraroodthermometer (300-1100 °C) + US RATEK dubbele ratio kleur infraroodthermometer (1000-3200 °C)

Temperatuurregeling: PID intelligente programmabesturing en handmatige bediening

Superieure procesprestaties, waardoor de productkwaliteit een nieuwe stap zet

Het apparaat maakt gebruik van multi-channel data-acquisitie en geeft weer en bedient op de man-machine interface. De bedieningsparameters zijn in één oogopslag duidelijk, de bediening is eenvoudig en de arbeidsintensiteit is laag;

Het apparaat heeft data-opname- en dumpfuncties, en de gegevens kunnen worden bekeken via de historische curve en kunnen worden overgebracht naar het mobiele opslagmedium;

Energiebesparend, speciale spoel- en isolatiestructuur, stabiele stroomafgifte en hoge elektrische efficiëntie.