Meerdere elektrische vacuümsinterovens voor het herkristalliseren van siliciumcarbide

Meerdere Elektrische Vacuüm Sinterovens voor Siliciumcarbide Herkristallisatie

Toepassing van Vacuüm Sinteroven:

Vacuüm Sinteroven Hoofdzakelijk gebruikt voor herkristallisatie van siliciumcarbide

Belangrijkste technische prestaties en indicatoren

Maximale bedrijfstemperatuur: 2450 °C

Gemeenschappelijke temperatuur: 2400 °C

Verwarmingsmethode: inductieverwarming

Werkingsgas in de oven: stikstof argon

Temperatuuruniformiteit: ≤ ± 10 °C

Temperatuurregelingsnauwkeurigheid: ±1 °C

Afhankelijk van de behoeften van de sinterproces tijd, kunnen meerdere elektrische ovens in een enkele voeding worden geplaatst, en de verwarming en koeling van de individuele ovens kunnen respectievelijk worden uitgevoerd om continue werking te bereiken.

Temperatuurmeting: WRe5/26 thermokoppel (0-1700 °C) + US RATEK dual colorimetrische infrarood thermometer (1000-3200 °C); US RATEK monochrome infrarood thermometer (300-1100 °C) + US RATEK dubbele ratio kleur infrarood thermometer (1000-3200 °C)

Temperatuurregeling: PID intelligente programma controle en handmatige controle

Superieure procesprestaties, waardoor de productkwaliteit een nieuwe stap zet

De siliciumcarbide sinteroven heeft uitstekende procesprestaties, en het geproduceerde product heeft uniforme deeltjes, complete reactie, hoog koolstofgehalte en goede kwaliteit;

Het apparaat maakt gebruik van multi-channel data-acquisitie en geeft weer en bedient op de man-machine interface. De bedrijfsparameters zijn in één oogopslag duidelijk, de bediening is eenvoudig en de arbeidsintensiteit is laag;

Het apparaat heeft data-opname- en dumpfuncties, en de gegevens kunnen worden bekeken via de historische curve en kunnen worden overgebracht naar het mobiele opslagmedium;

Energiebesparend, speciale spoel- en isolatiestructuur, stabiele stroomafgifte en hoge elektrische efficiëntie.