シリコンカービッド真空シントリングオーブン 内循環冷却
真空シントリングオーブンの適用:
真空シンタリングオーブン 主にシリコンカービッドの再結晶化に使用
主な技術性能と指標
最大動作温度: 2450°C
一般温度: 2400 °C
加熱方法:インダクション加熱
炉内の作業ガス:窒素アルゴン
温度均一性: ≤ ± 10 °C
温度制御精度: ±1 °C
シンテリングプロセスの需要に応じて,複数の電気炉を1つの電源に配置することができる.連続的な動作を達成するために,それぞれ個々の炉の加熱と冷却を実行することができます.
温度測定:WRe5/26熱対 (0~1700°C) +US RATEK双色度赤外線温度計 (1000~3200°C)US RATEK単色赤外線温度計 (300〜1100°C) + US RATEK 倍比色赤外線温度計 (1000〜3200°C)
温度制御:PID インテリジェントプログラム制御と手動制御
優れたプロセス性能,製品品質を新たなステップにする
シリコンカービッドシンタリング炉は優れたプロセス性能があり,生産された製品は均質な粒子を有し,完全な反応,高炭素含有量,良質です.
装置は,マルチチャネルデータ収集とディスプレイを採用し,人間機械インターフェースで動作します.操作パラメータは一目で明確で,操作は簡単です.労働の強度は低い;
装置にはデータ記録とダンピング機能があり,データは過去曲線を通して表示され,モバイルストレージメディアに転送できます.
省エネ,特殊なコイルと隔熱構造,安定した出力,高い電気効率.
| 容量 (L) | 192 | 350 | 484 | 1920 |
| 指定温度 (°C) | 2400 | 2400 | 2400 | 2400 |
| 制限温度 (°C) | 2450 | 2450 | 2450 | 2450 |
| 効果的加熱ゾーン (mm) | 400×400×1200 | 500×500×1400 | 550×550×1600 | 800×800×3000 |
| パワー (KW) | 150 | 250 | 350 | 550 |
| 周波数 (Hz) | 1500 | 1000 | 1000 | 1000 |
| 温度制御方法 | 日本 島 の 電気 温度 計 | |||
| 暖房方法 | インダクション加熱 | |||
| バキュームシステム | スロールバルブ真空ポンプ + ルーツ真空ポンプ | |||
| シンター環境 | N2,Ar2 など | |||
| 電源の電圧 (V) | 380 | |||
| 熱電圧 (V) | 設計に従って,トランスフォーマーを構成 | |||
| バキューム制限 (pa) | 40 (真空冷却状態) | |||
