Silikonkarbid-Sinterofen mit Vakuumverbrennung

Siliziumkarbid-Vakuum-Sinterofen Innenzirkulationskühlung

Anwendung des Vakuum-Sinterofens:

Vakuum-Sinterofen hauptsächlich für die Rekristallisation von Siliziumkarbid verwendet

Wichtigste technische Leistungen und Indikatoren

Maximale Betriebstemperatur: 2450 °C

Übliche Temperatur: 2400 °C

Heizmethode: Induktionsheizung

Arbeitsgas im Ofen: Stickstoff Argon

Temperaturgleichmäßigkeit: ≤ ± 10 °C

Temperaturregelgenauigkeit: ±1 °C

Entsprechend den Anforderungen der Sinterprozesszeit können mehrere Elektroöfen in einer einzigen Stromversorgung angeordnet werden, und das Heizen und Kühlen der einzelnen Öfen kann jeweils durchgeführt werden, um einen kontinuierlichen Betrieb zu erreichen.

Temperaturmessung: WRe5/26 Thermoelement (0-1700 °C) + US RATEK duales kolorimetrisches Infrarotthermometer (1000-3200 °C); US RATEK monochromes Infrarotthermometer (300-1100 °C) + US RATEK Doppelverhältnis-Farbinfrarotthermometer (1000-3200 °C)

Temperaturregelung: PID-Intelligenz-Programmsteuerung und manuelle Steuerung

Überlegene Prozessleistung, wodurch die Produktqualität einen neuen Schritt macht

Der Siliziumkarbid-Sinterofen hat eine ausgezeichnete Prozessleistung, und das hergestellte Produkt hat gleichmäßige Partikel, vollständige Reaktion, hohen Kohlenstoffgehalt und gute Qualität;

Das Gerät verwendet eine Mehrkanal-Datenerfassung und zeigt diese auf der Mensch-Maschine-Schnittstelle an und bedient sie. Die Betriebsparameter sind auf einen Blick klar, die Bedienung ist einfach und die Arbeitsintensität ist gering;

Das Gerät verfügt über Datenaufzeichnungs- und -dumpingfunktionen, und die Daten können über die historische Kurve angezeigt und auf das mobile Speichermedium übertragen werden;

Energiesparend, spezielle Spulen- und Isolationsstruktur, stabile Leistung und hoher elektrischer Wirkungsgrad.